Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2020, том 190, номер 11, страницы 1143–1163
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.11.038693 (Mi ufn6636) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Спектроскопия электрон-фононного взаимодействия сверхпроводящих микроконтактов: экспериментальные аспекты

Н. Л. Бобров

Физико-технический институт низких температур им. Б. И. Веркина НАН Украины, г. Харьков
PDF полного текста (1044 kB) Список цитирования (3)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.11.038693
Аннотация: Рассмотрена процедура восстановления функций электрон-фононного взаимодействия (ЭФВ) из дополнительных нелинейностей вольт-амперной характеристики (ВАХ) микроконтактов, связанных с избыточным током. При этом принимались во внимание как неупругие процессы рассеяния, вызывающие подавление избыточного тока при реабсорбции неравновесных фононов электронами, испытывающими андреевское отражение (андреевских электронов), так и упругие процессы рассеяния, связанные с электрон-фононной перенормировкой энергетического спектра сверхпроводника. Последовательно изложены результаты как для баллистических контактов, вторые производные ВАХ которых в нормальном состоянии пропорциональны функциям ЭФВ, так и для неоднородных контактов (с грязным сужением и чистыми берегами), у которых в нормальном состоянии на вторых производных фононные особенности либо отсутствуют, либо являются слабо выраженными.
Финансовая поддержка Номер гранта
Национальная академия наук Украины ФЦ 4-19
Работа выполнена при финансовой поддержке НАН Украины по проекту ФЦ 4-19.
Поступила: 7 августа 2019 г.
Доработана: 22 октября 2019 г.
Одобрена в печать: 11 ноября 2019 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2020, Volume 63, Issue 11, Pages 1072–1091
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.11.038693
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.40.Jn, 74.25.Kc, 74.45.+c, 74.50.+r
Образец цитирования: Н. Л. Бобров, “Спектроскопия электрон-фононного взаимодействия сверхпроводящих микроконтактов: экспериментальные аспекты”, УФН, 190:11 (2020), 1143–1163; Phys. Usp., 63:11 (2020), 1072–1091
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bob20}
\by Н.~Л.~Бобров
\paper Спектроскопия электрон-фононного взаимодействия сверхпроводящих микроконтактов: экспериментальные аспекты
\jour УФН
\yr 2020
\vol 190
\issue 11
\pages 1143--1163
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn6636}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.11.038693}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2020PhyU...63.1072B}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46802556}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2020
\vol 63
\issue 11
\pages 1072--1091
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.11.038693}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000613920600002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85101554394}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn6636
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v190/i11/p1143
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:118
    PDF полного текста:25
    Список литературы:16
    Первая страница:4
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024