Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2020, том 190, номер 7, страницы 673–692
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.10.038669 (Mi ufn6552) 		 
Эта публикация цитируется в 17 научных статьях (всего в 19 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Топологические изоляторы на основе HgTe

З. Д. Квонab, Д. А. Козловab, Е. Б. Ольшанецкийa, Г. М. Гусевc, Н. Н. Михайловa, С. А. Дворецкийa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Instituto de Fisica da Universidade de São Paulo
PDF полного текста (1421 kB) Список цитирования (19)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.10.038669
Аннотация: Дан обзор наиболее интересных результатов экспериментальных исследований двумерных и трёхмерных топологических изоляторов (ТИ) на основе квантовых HgTe-ям и плёнок HgTe. Если говорить о свойствах двумерного ТИ, то к ним можно отнести нелокальный баллистический и диффузионный транспорт, магнитный пробой двумерного ТИ и аномальную температурную зависимость сопротивления краевых каналов. Для трёхмерного ТИ — это достижение рекордно высокой подвижности (до $5\times10^{5}~$ см$^2$ В$^{-1}$ с$^{-1}$) поверхностных двумерных дираковских фермионов (ДФ) и определение благодаря этому всех его основных параметров (объёмной щели, концентрации дираковских фермионов на обеих его поверхностях), а также получение информации о фазе шубниковских осцилляций ДФ, свидетельствующей о жёсткой топологической связи их спина и импульса. В заключении обсуждаются перспективы дальнейших исследований.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10041-П
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант 16-12-10041-П).
Поступила: 13 мая 2019 г.
Доработана: 25 сентября 2019 г.
Одобрена в печать: 4 октября 2019 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2020, Volume 63, Issue 7, Pages 629–647
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs
Образец цитирования: З. Д. Квон, Д. А. Козлов, Е. Б. Ольшанецкий, Г. М. Гусев, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Топологические изоляторы на основе HgTe”, УФН, 190:7 (2020), 673–692; Phys. Usp., 63:7 (2020), 629–647
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KvoKozOls20}
\by З.~Д.~Квон, Д.~А.~Козлов, Е.~Б.~Ольшанецкий, Г.~М.~Гусев, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий
\paper Топологические изоляторы на основе HgTe
\jour УФН
\yr 2020
\vol 190
\issue 7
\pages 673--692
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn6552}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2019.10.038669}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2020PhyU...63..629K}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44745196}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2020
\vol 63
\issue 7
\pages 629--647
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2019.10.038669}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000575189200001}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85092483236}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn6552
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v190/i7/p673
    • Эта публикация цитируется в следующих 19 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:174
    PDF полного текста:18
    Список литературы:12
    Первая страница:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024