Оптические свойства графена и полупроводников типа $\mathrm{A_4B_6}$

Рассмотрена частотная дисперсия динамической проводимости графена, многослойной системы графеновых слоев и полупроводников $\mathrm{A_4B_6}$ в зависимости от температуры и концентрации носителей в области частот больших, чем частота релаксации носителей, но малых по сравнению с шириной зоны проводимости. Узкая запрещенная зона и линейность электронного спектра — общая черта этих материалов — приводят к особенности у диэлектрической проницаемости (логарифмической в вещественной части и конечному скачку в мнимой) на пороге прямых межзонных переходов и, соответственно, к аномально большой величине диэлектрической постоянной у полупроводников $\mathrm{A_4B_6}$. Рассчитанные и измеренные значения диэлектрических констант находятся в очень хорошем согласии друг с другом. Коэффициент прохождения через графен в оптическом диапазоне не зависит от частоты, а его отличие от единицы дает значение постоянной тонкой структуры. Различие в размерности, равной трем у полупроводников и двум у графена, выражается в различном характере плазмонов, а также электромагнитных волн, которые могут существовать при высоком допировании (или в условиях эффекта поля) вблизи порога поглощения.