Метод времяразрешающего рентгенодифракционного картирования обратного пространства в условиях воздействия электрического поля на кристалл

Разработана и впервые реализована рентгеновская методика картирования обратного пространства в трёхосевой геометрии дифракции с временным разрешением на лабораторном источнике излучения. Методика позволяет изучать протекающие в образце под влиянием внешних воздействий процессы, вызывающие обратимые деформации его кристаллической решётки, разграничивать эти процессы во времени, а также разделять разные виды деформаций, возникающих в кристалле в результате этих воздействий. Суть методики заключается в измерении временных зависимостей интенсивности для каждой точки обратного пространства в окрестности дифракционного максимума в трёхосевой геометрии дифракции при повторяющемся и идентичном по своей структуре воздействии на образец электрическим полем высокой напряжённости, с последующим построением эволюции во времени двумерной карты обратного пространства. Временное разрешение достигается благодаря быстродействующему многоканальному анализатору интенсивности, синхронизованному с высоковольтным источником напряжения. Продемонстрированы результаты измерения дифракционных карт обратного пространства на лабораторном источнике излучения для пьезоэлектрического кристалла лантан-галлиевого силиката при воздействии на него внешним электрическим полем напряжённостью 3,08 кВ мм$^{-1}$, близкой к пробойной, с временным разрешением до 10 мс.