|
КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ
Равновесная форма поверхности кристаллов $\rm ^4He$ вблизи критических ориентаций
А. Ф. Андреевa, Л. А. Мельниковскийab a Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва
Аннотация:
Выяснены условия применимости теории среднего поля для описания термодинамики поверхности кристаллов $\rm ^4He$. Хотя сам переход огранения относится к переходам типа Березинского–Костерлица–Таулеса, термодинамический потенциал вне узкой окрестности температуры перехода можно разлагать в ряд в духе теории Ландау фазовых переходов второго рода. Найден параметр Гинзбурга–Леванюка. Дано объяснение сингулярностей поверхностной жёсткости вблизи критических ориентаций, наблюдаемых при температурах, далёких от критической.
Поступила: 30 марта 2018 г. Одобрена в печать: 13 декабря 2017 г.
Образец цитирования:
А. Ф. Андреев, Л. А. Мельниковский, “Равновесная форма поверхности кристаллов $\rm ^4He$ вблизи критических ориентаций”, УФН, 188:11 (2018), 1199–1202; Phys. Usp., 61:11 (2018), 1090–1093
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn6191 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v188/i11/p1199
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 249 | PDF полного текста: | 47 | Список литературы: | 37 | Первая страница: | 7 |
|