|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах
П. И. Арсеевab, В. Н. Манцевичc, Н. С. Масловаc, В. И. Пановc a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва
c Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учёте неравновесного распределения электронов и изменения плотности электронных состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные
положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС-экспериментах, но и даёт возможность предсказывать новые.
Поступила: 12 декабря 2016 г. Одобрена в печать: 28 января 2017 г.
Образец цитирования:
П. И. Арсеев, В. Н. Манцевич, Н. С. Маслова, В. И. Панов, “Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах”, УФН, 187:11 (2017), 1147–1168; Phys. Usp., 60:11 (2017), 1067–1086
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn5879 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v187/i11/p1147
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 248 | PDF полного текста: | 42 | Список литературы: | 21 | Первая страница: | 5 |
|