Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2017, том 187, номер 11, страницы 1147–1168
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.01.038055 (Mi ufn5879) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах

П. И. Арсеевab, В. Н. Манцевичc, Н. С. Масловаc, В. И. Пановc

a Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, г. Москва
b Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", г. Москва
c Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
PDF полного текста (1308 kB) Список цитирования (7)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.01.038055
Аннотация: Приведено описание экспериментальных данных, полученных методом сканирующей туннельной микроскопии/спектроскопии (СТМ/СТС), в которых наиболее ярко проявилось влияние неравновесных туннельных эффектов и реконструкции электронного спектра, а также дано их теоретическое объяснение, основанное на самосогласованном учёте неравновесного распределения электронов и изменения плотности электронных состояний в области туннельного контакта при протекании туннельного тока. Обсуждаются основные положения самосогласованной теории туннелирования, на которую могут опираться экспериментаторы в своих исследованиях и которая позволяет не только описывать многие эффекты, наблюдаемые в СТМ/СТС-экспериментах, но и даёт возможность предсказывать новые.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-00072
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда, грант 16-12-00072.
Поступила: 12 декабря 2016 г.
Одобрена в печать: 28 января 2017 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2017, Volume 60, Issue 11, Pages 1067–1086
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2017.01.038055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 05.60.Gg, 68.37.Ef, 73.40.Gk, 73.63.-b
Образец цитирования: П. И. Арсеев, В. Н. Манцевич, Н. С. Маслова, В. И. Панов, “Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах”, УФН, 187:11 (2017), 1147–1168; Phys. Usp., 60:11 (2017), 1067–1086
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ArsManMas17}
\by П.~И.~Арсеев, В.~Н.~Манцевич, Н.~С.~Маслова, В.~И.~Панов
\paper Особенности туннельных процессов в полупроводниковых наноструктурах
\jour УФН
\yr 2017
\vol 187
\issue 11
\pages 1147--1168
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn5879}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.01.038055}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2017PhyU...60.1067A}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30558711}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2017
\vol 60
\issue 11
\pages 1067--1086
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2017.01.038055}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000424395100002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85042146920}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn5879
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v187/i11/p1147
    Публикации по теме
    Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:246
    PDF полного текста:40
    Список литературы:20
    Первая страница:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024