Фазовые диаграммы купратов и пниктидов как ключ к пониманию механизма высокотемпературной сверхпроводимости

Представлен обзор экспериментальных фазовых диаграмм купратов и пниктидов, демонстрирующий, что специфические особенности фазовых диаграмм обоих семейств высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП) могут быть поняты в рамках подхода, предполагающего образование при гетеровалентном допировании локализованных трионных комплексов, состоящих из допированного носителя и экситонов с переносом заряда (СТ-экситонов). Геометрия расположения таких ячеек (CT-плакетов), содержащих СТ-экситоны, в базовой плоскости кристалла определяется его кристаллической структурой и типом допанта, поэтому диапазон концентраций допантов, соответствующий существованию перколяционного кластера CT-плакетов, может быть легко определён для каждого конкретного соединения. Эти диапазоны концентраций допанта с хорошей точностью совпадают с экспериментальными областями существования сверхпроводящих куполов на фазовых диаграммах рассмотренных ВТСП-соединений. Появление свободных носителей и механизм сверхпроводящего спаривания связан в такой картине с биэкситонными комплексами (гайтлер – лондоновскими центрами), возникающими на соседних СТ-плакетах.