Аннотация:
Обсуждены новые закономерности кинематики магнитопластичности, установленные на основе физических экспериментов и компьютерного моделирования. Рассмотрено движение дислокаций через случайную сетку точечных дефектов под действием магнитного поля, переключающего примесные центры в состояние с пониженной силой пиннинга. Наряду с измеренными характеристиками, впервые изучены скрытые параметры движения, доступные лишь в компьютерных экспериментах. Показано, что распределение стопоров на дислокации не зависит от их концентрации C, а их среднее число и критическая сила отрыва дислокации пропорциональны √C. Предложена модель, в рамках которой впервые удалось объяснить наблюдаемую зависимость средней скорости дислокаций в магнитном поле: v∝1/√C. Из модели следует что существует скрытый резерв увеличения скорости v на несколько порядков, — последнее уже реализовано в кристаллах NaCl при дополнительном воздействии на них слабого электрического поля.
Образец цитирования:
В. И. Альшиц, Е. В. Даринская, М. В. Колдаева, Р. К. Котовский, Е. А. Петржик, П. Трончик, “Физическая кинетика движения дислокаций в немагнитных кристаллах: взгляд через магнитное окно”, УФН, 187:3 (2017), 327–341; Phys. Usp., 60:3 (2017), 305–318