Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2013, том 183, номер 10, страницы 1115–1122
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0183.201310i.1115 (Mi ufn4636) 		 
Эта публикация цитируется в 30 научных статьях (всего в 30 статьях)

ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ

Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках

И. В. Антонова

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (834 kB) Список цитирования (30)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0183.201310i.1115
Аннотация: Рассмотрены последние наиболее интересные достижения и тенденции развития технологий выращивания графена на медных подложках. Анализируются влияние качества подготовки подложки и других параметров процесса на свойства плёнок, полученных при разных давлениях и температурах на медной фольге и более тонких слоях меди. Обсуждаются способы получения крупных монокристаллических доменов графена и их свойства, а также технологии, не требующие переноса плёнки графена на диэлектрическую подложку. Ещё один обсуждаемый в статье важный подход — это возможность латерального роста графена от специально сформированных мультиграфеновых или углеродсодержащих зародышей и металлических катализаторов.
Поступила: 14 февраля 2013 г.
Доработана: 2 марта 2013 г.
Одобрена в печать: 27 февраля 2013 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2013, Volume 56, Issue 10, Pages 1013–1020
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.0183.201310i.1115
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.65.Pq, 81.05.ue, 81.15.Gh, 81.16.Be
Образец цитирования: И. В. Антонова, “Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках”, УФН, 183:10 (2013), 1115–1122; Phys. Usp., 56:10 (2013), 1013–1020
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ant13}
\by И.~В.~Антонова
\paper Современные тенденции развития технологий выращивания графена методом химического осаждения паров на медных подложках
\jour УФН
\yr 2013
\vol 183
\issue 10
\pages 1115--1122
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn4636}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0183.201310i.1115}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2013PhyU...56.1013A}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20302600}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2013
\vol 56
\issue 10
\pages 1013--1020
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.0183.201310i.1115}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000329313100004}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn4636
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v183/i10/p1115
    • Эта публикация цитируется в следующих 30 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:325
    PDF полного текста:154
    Список литературы:41
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024