Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2004, том 174, номер 4, страницы 383–405
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200404d.0383 (Mi ufn33) 		 
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов

Р. З. Бахтизинa, Ч.-Ж. Щуеb, Ч.-К. Щуеc, К.-Х. Вуb, Т. Сакурайb

a Башкирский государственный университет
b Институт проблем материаловедения университета Тохоку
c Институт физики АН КНР
PDF полного текста (6938 kB) Список цитирования (13)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200404d.0383
Аннотация: Анализируются современное состояние работ и новые тенденции в получении полупроводников III-нитридов и изучении их поверхностных свойств. C использованием уникальной установки, включающей сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) на линии с камерой молекулярно-лучевой эпитаксии (МВЕ), в условиях сверхвысокого вакуума in situ исследованы атомные структуры на поверхности пленок GaN как с гексагональной, так и с кубической симметрией, выращенных методами МВЕ в присутствии азотной плазмы в широком диапазоне температур и отношений концентраций [N]/[Ga]. Из анализа СТМ-изображений с атомным разрешением и сопоставления их с результатами первопринципных расчетов полной энергии разработаны модели наблюдавшихся поверхностных фаз.
Поступила: 14 апреля 2003 г.
Доработана: 27 октября 2003 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2004, Volume 47, Issue 4, Pages 371–391
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2004v047n04ABEH001643
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 61.14.Hg, 71.15.Nc, 81.05.Ea
Образец цитирования: Р. З. Бахтизин, Ч.-Ж. Щуе, Ч.-К. Щуе, К.-Х. Ву, Т. Сакурай, “Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов”, УФН, 174:4 (2004), 383–405; Phys. Usp., 47:4 (2004), 371–391
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BakXueXue04}
\by Р.~З.~Бахтизин, Ч.-Ж.~Щуе, Ч.-К.~Щуе, К.-Х.~Ву, Т.~Сакурай
\paper Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов
\jour УФН
\yr 2004
\vol 174
\issue 4
\pages 383--405
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn33}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200404d.0383}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004PhyU...47..371B}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2004
\vol 47
\issue 4
\pages 371--391
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2004v047n04ABEH001643}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000223560800004}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn33
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v174/i4/p383
    • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024