Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 2006, том 176, номер 2, страницы 203–212
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200602c.0203
(Mi ufn278)
 

Эта публикация цитируется в 76 научных статьях (всего в 76 статьях)

ИЗ ТЕКУЩЕЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах

В. М. Фридкин

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН
Список литературы:
Аннотация: В последнее время предпринимается попытка определения критического размера в сегнетоэлектричестве. Этот фундаментальный вопрос в связи с развитием сегнетоэлектрических наноструктур стал актуальным и в прикладном отношении. Показано, что, несмотря на предсказанное теорией существование конечного критического размера, по крайней мере, в сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра–Блоджетт, приготовленных из сополимера винилиденфторида–трифторэтилена P[VDF – TrFE], сегнетоэлектрическая поляризация и ее переключение наблюдаются в одном монослое. Приводится краткий обзор работ по поиску критического размера в перовскитовых сегнетоэлектриках. Показано, что теория Ландау–Гинзбурга предсказывает сколь угодно малый критический размер, если учесть несобственный эффект, связанный с деформациями несоответствия на границе пленка–электрод (“mismatch” эффект). Сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки могут обладать особенностями в динамике переключения.
Поступила: 21 июля 2005 г.
Доработана: 9 октября 2005 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2006, Volume 49, Issue 2, Pages 193–202
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2006v049n02ABEH005840
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 05.70.Np, 77.80.-e, 77.84.Jd
Образец цитирования: В. М. Фридкин, “Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах”, УФН, 176:2 (2006), 203–212; Phys. Usp., 49:2 (2006), 193–202
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Fri06}
\by В.~М.~Фридкин
\paper Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах
\jour УФН
\yr 2006
\vol 176
\issue 2
\pages 203--212
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn278}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200602c.0203}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2006PhyU...49..193F}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2006
\vol 49
\issue 2
\pages 193--202
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2006v049n02ABEH005840}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000238659100003}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33745651354}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn278
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v176/i2/p203
  • Эта публикация цитируется в следующих 76 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:803
    PDF полного текста:172
    Список литературы:88
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024