В. М. Фридкин, “Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах”, УФН, 176:2 (2006), 203–212; Phys. Usp., 49:2 (2006), 193

Успехи физических наук

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Скоро в журнале
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Успехи физических наук, 2006, том 176, номер 2, страницы 203–212
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200602c.0203 (Mi ufn278)

Эта публикация цитируется в 78 научных статьях (всего в 78 статьях)

ИЗ ТЕКУЩЕЙ ЛИТЕРАТУРЫ

Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах

В. М. Фридкин

Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова РАН

PDF полного текста (1916 kB) Список цитирования (78)

Список литературы:

PDF

HTML

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200602c.0203

Аннотация: В последнее время предпринимается попытка определения критического размера в сегнетоэлектричестве. Этот фундаментальный вопрос в связи с развитием сегнетоэлектрических наноструктур стал актуальным и в прикладном отношении. Показано, что, несмотря на предсказанное теорией существование конечного критического размера, по крайней мере, в сегнетоэлектрических пленках Ленгмюра–Блоджетт, приготовленных из сополимера винилиденфторида–трифторэтилена P[VDF – TrFE], сегнетоэлектрическая поляризация и ее переключение наблюдаются в одном монослое. Приводится краткий обзор работ по поиску критического размера в перовскитовых сегнетоэлектриках. Показано, что теория Ландау–Гинзбурга предсказывает сколь угодно малый критический размер, если учесть несобственный эффект, связанный с деформациями несоответствия на границе пленка–электрод (“mismatch” эффект). Сверхтонкие сегнетоэлектрические пленки могут обладать особенностями в динамике переключения.

Поступила: 21 июля 2005 г.
Доработана: 9 октября 2005 г.

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2006, Volume 49, Issue 2, Pages 193–202
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2006v049n02ABEH005840

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 05.70.Np, 77.80.-e, 77.84.Jd

Образец цитирования: В. М. Фридкин, “Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах”, УФН, 176:2 (2006), 203–212; Phys. Usp., 49:2 (2006), 193–202

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{Fri06}

\by В.~М.~Фридкин

\paper Критический размер в сегнетоэлектрических наноструктурах

\jour УФН

\yr 2006

\vol 176

\issue 2

\pages 203--212

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn278}

\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200602c.0203}

\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2006PhyU...49..193F}

\transl

\jour Phys. Usp.

\yr 2006

\vol 49

\issue 2

\pages 193--202

\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2006v049n02ABEH005840}

\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000238659100003}

\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33745651354}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ufn278

https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v176/i2/p203

Эта публикация цитируется в следующих 78 статьяx:

Mingran Zhang, Rui Ma, Jianqiang Zhou, Yuanxiang Zhang, Jie Wang, Shengbin Weng, “Unveiling Frequency-Dependent Electromechanical Dynamics in Ferroelectric BaTiO3 Nanofilm with a Core-Shell Structure”, Coatings, 14:11 (2024), 1437
Valeriy Kalytka, Ali Mekhtiyev, Yelena Neshina, Aliya Alkina, Yelena Senina, Arkadiy Bilichenko, Yelena Sidorina, Akylbek Beissekov, Galina Tatkeyeva, Yermek Sarsikeyev, “Quasi-Classical Models of Nonlinear Relaxation Polarization and Conductivity in Electric, Optoelectric, and Fiber Optic Elements Based on Materials with Ionic–Molecular Chemical Bonds”, Applied Sciences, 14:24 (2024), 11830
Е. С. Зайцева, Ю. К. Товбин, “Межфазное натяжение двухкомпонентных двухфазных упорядоченных твердых систем кубической формы”, Zaŝita metallov, 59:3 (2023), 244
E. S. Zaitseva, Yu. K. Tovbin, “Interfacial Tension of Two-Component Two-Phase Ordered Cubic Solid Systems”, Prot Met Phys Chem Surf, 59:3 (2023), 325
V. N. Nechaev, A. V. Shuba, “About switching of polarization in a thin ferroelectric film”, Int. J. Mod. Phys. B, 37:28 (2023)
Valeriy Kalytka, Zein Baimukhanov, Yelena Neshina, Ali Mekhtiyev, Pavel Dunayev, Olga Galtseva, Yelena Senina, “Influence of Quantum Effects on Dielectric Relaxation in Functional Electrical and Electric Energy Elements Based on Proton Semiconductors and Dielectrics”, Applied Sciences, 13:15 (2023), 8755
E. S. Zaitseva, Yu. K. Tovbin, “Interfacial Tension and Size Dependence of the Critical Temperature of the Domain Structure of Displacement-Type Ferroelectrics”, Prot Met Phys Chem Surf, 58:4 (2022), 649
Ming-Ran Zhang, Yu Su, “The negative dielectric permittivity of polycrystalline barium titanate nanofilms under high-strength kHz-AC fields”, International Journal of Solids and Structures, 254-255 (2022), 111939
E. S. Zaitseva, T. Yu. Mikhailova, S. P. Dolin, Yu. K. Tovbin, “Dimensional Volume and Surface Characteristics Calculated for KDP-Type Crystals in the Lattice Gas Model with a Many-Particle Interaction Potential”, Inorg Mater, 58:6 (2022), 661
Vitalii Maksymych, Fedir Ivashchyshyn, Dariusz Całus, Anna Pidluzhna, Marek Gała, Piotr Chabecki, “Electrical properties of clathrate formed on the basis of a p-type semiconductor with 2D guest positions filled with ferroelectric and propolis”, Appl Nanosci, 12:11 (2022), 3629
Vaz C.A.F., Shin Y.J., Bibes M., Rabe K.M., Walker F.J., Ahn C.H., “Epitaxial Ferroelectric Interfacial Devices”, Appl. Phys. Rev., 8:4 (2021), 041308
Dong P., Li W., Zhao Z., Zhang X., Li Y., Yang M., Zheng Sh., He Y., Ma Ya., “Theoretical Prediction of Size and Dimension Dependent Critical Temperature For Ferroelectric, Ferromagnetic and Superconductive Nanomaterials”, J. Phys. Chem. Solids, 154 (2021), 110043
Dupliak I., Ivashchyshyn F., Calus D., Seredyuk B., Chabecki P., Maksymych V., Li F., “Influence of Optical Radiation and Magnetic Field on the Properties of Inse < Nano2 > Clathrate”, Ukr. J. Phys. Opt., 21:3 (2020), 115–125
Verkhovskaya K.A., Chumakova S.P., Yudin S.G., “The Influence of Gamma Radiation on the Dielectric Properties of Ferroelectric Langmuir-Blodgett Films”, Crystallogr. Rep., 65:4 (2020), 601–604
Bich Dung Mai, Hoai Thuong Nguyen, Dinh Hien Ta, “Effects of Moisture on Structure and Electrophysical Properties of a Ferroelectric Composite From Nanoparticles of Cellulose and Triglycine Sulfate”, Braz. J. Phys., 49:3 (2019), 333–340
Maksimova O.G., Egorov V.I., Gerasimov R.A., Baidganov A.R., Maksimov A.V., “Study of the Competing Influence of Intermolecular Interactions of Different Types on the Structure of the Ferroelectrics”, Acta Phys. Pol. A, 135:5 (2019), 1084–1086
Mai Bich Dung, Nguyen Hoai Thuong, “Phase Transition and Dielectric Relaxation of a Mixed Ferroelectric Composite From Cellulose Nanoparticles and Triglycine Sulfate”, Ferroelectrics, 550:1 (2019), 141–150
Nguyen Hoai Thu'o'ng, Sidorkin A.S., Milovidova S.D., “Dispersion of Dielectric Permittivity in a Nanocrystalline Cellulose-Triglycine Sulfate Composite At Low and Ultralow Frequencies”, Phys. Solid State, 60:3 (2018), 559–565
Ivanov N.R. Verkhovskaya K.A. Yudin S.G., “Electro-Optic Hysteresis in Ferroelectric Polymer Langmuir-Blodgett Films”, Crystallogr. Rep., 63:4 (2018), 656–661
Udalov O.G. Beloborodov I.S., “Microscopic theory of the Coulomb based exchange coupling in magnetic tunnel junctions”, J. Phys.-Condes. Matter, 29:17 (2017), 175804

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	835
PDF полного текста:	182
Список литературы:	96
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:
math-net2025_03@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы