Л. А. Фальковский, “Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света”, УФН, 174:3 (2004), 259–283; Phys. Usp., 47:3 (2004), 249

Успехи физических наук

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Скоро в журнале
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Успехи физических наук, 2004, том 174, номер 3, страницы 259–283
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200403b.0259 (Mi ufn23)

Эта публикация цитируется в 21 научных статьях (всего в 21 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света

Л. А. Фальковский

Институт теоретической физики им. Л. Д. Ландау РАН

PDF полного текста (4105 kB) Список цитирования (21)

Список литературы:

PDF

HTML

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200403b.0259

Аннотация: Рассмотрено влияние дефектов и носителей заряда на динамику решетки и, в частности, на комбинационное рассеяние света в полупроводниках и металлах; проведено сравнение теории с экспериментальными данными. Рассеяние фононов на точечных, линейных или плоских дефектах приводит к смещению фононных частот и затуханию, что сказывается на форме линии комбинационного рассеяния. Этот эффект используется для исследования упругих напряжений вблизи границ, а также для определения качества полупроводниковых элементов. Анализ взаимодействия фононов с носителями заряда основан на адиабатичности электрон-фононной системы и прямом учете кулоновского поля, возбуждаемого при колебаниях решетки. Присутствие носителей особенно существенно вблизи таких частот и волновых векторов фононов, где возникает затухание Ландау вследствие рождения электрон-дырочных пар. Обсуждается возможность определения величины электрон-фононного взаимодействия при исследовании спектра связанных фонон-плазмонных мод.

Поступила: 1 сентября 2003 г.

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2004, Volume 47, Issue 3, Pages 249–272
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2004v047n03ABEH001735

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 63.20.-e, 63.20.Dj, 78.30.-j

Образец цитирования: Л. А. Фальковский, “Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света”, УФН, 174:3 (2004), 259–283; Phys. Usp., 47:3 (2004), 249–272

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{Fal04}

\by Л.~А.~Фальковский

\paper Исследования полупроводников с~дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света

\jour УФН

\yr 2004

\vol 174

\issue 3

\pages 259--283

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn23}

\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200403b.0259}

\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2004PhyU...47..249F}

\transl

\jour Phys. Usp.

\yr 2004

\vol 47

\issue 3

\pages 249--272

\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2004v047n03ABEH001735}

\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000223338900002}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ufn23

https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v174/i3/p259

Эта публикация цитируется в следующих 21 статьяx:

Dejan M. Djokić, Novica Paunović, Bojan Stojadinović, Dimitrije Stepanenko, Saša Lazović, Zorana Dohčević-Mitrović, Fundamentals and Properties of Multifunctional Nanomaterials, 2021, 9
Djokic D.M., Stojadinovic B., Stepanenko D., Dohcevic-Mitrovic Z., “Probing Charge Carrier Transport Regimes in Bifeo3 Nanoparticles By Raman Spectroscopy”, Scr. Mater., 181 (2020), 6–9
Nandy S., Kaur K., Gautam S., Chae K.H., Nanda B.R.K., Sudakar Ch., “Maximizing Short Circuit Current Density and Open Circuit Voltage in Oxygen Vacancy-Controlled Bi1-Xcaxfe1-Ytiyo3-Delta Thin-Film Solar Cells”, ACS Appl. Mater. Interfaces, 12:12 (2020), 14105–14118
Plankina S.M., Vikhrova O.V., Zvonkov B.N., Zubkov S.Yu., Kriukov R.N., Nezhdanov A.V., Pavlov D.A., Pashen'kin I.Yu., Sushkov A.A., “On the Combined Application of Raman Spectroscopy and Photoluminescence Spectroscopy For the Diagnostics of Multilayer Heterostructures”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1207–1210
Modern Raman Spectroscopy, 2019, 151
Hu Ch., Chen Q., Chen F., Gfroerer T.H., Wanlass M.W., Zhang Y., “Overcoming Diffusion-Related Limitations in Semiconductor Defect Imaging With Phonon-Plasmon-Coupled Mode Raman Scattering”, Light-Sci. Appl., 7 (2018), 23
Stegailov V.V., Zhilyaev P.A., “Warm dense gold: effective ion–ion interaction and ionisation”, Mol. Phys., 114:3-4, SI (2016), 509–518
Malashchonak M.V., Mazanik A.V., Korolik O.V., Streltsov E.A., Kulak A.I., “Influence of Wide Band Gap Oxide Substrates on the Photoelectrochemical Properties and Structural Disorder of Cds Nanoparticles Grown By the Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction (Silar) Method”, Beilstein J. Nanotechnol., 6 (2015), 2252–2262
Vladimir Poborchii, Yukinori Morita, Manabu Ishimaru, Tetsuya Tada, “Ultraviolet Raman spectra of few nanometer thick silicon-on-insulator nanofilms: Lifetime reduction of confined phonons”, Appl. Phys. Lett, 105:15 (2014), 153112
Tetyana R. Barlas, Nicolas L. Dmitruk, Nataliya V. Kotova, Denys O. Naumenko, Valentinas Snitka, “Micro-Raman Cross-Section Study of Ordered Porous III-V Semiconductor Layers”, MRS Proc, 1534 (2013)
Ilias Efthimiopoulos, Jiaming Zhang, Melvin Kucway, Changyong Park, R.C.. Ewing, “Sb2Se3 under pressure”, Sci. Rep, 3 (2013)
L. A. Falkovsky, “Influence of ferromagnetic ordering on Raman scattering in CoS_{2}”, Phys. Rev. B, 88:15 (2013)
Shiryaev A.A., Griffin W.L., Stoyanov E., “Moissanite (SiC) from kimberlites: Polytypes, trace elements, inclusions and speculations on origin”, Lithos, 122:3–4 (2011), 152–164
Milekhin A.G., Yeryukov N.A., Sveshnikova L.L., Duda T.A., Zenkevich E.I., Kosolobov S.S., Latyshev A.V., Himcinski C., Surovtsev N.V., Adichtchev S.V., Feng Zh.Ch., Wu Ch.Ch., Wuu D.S., Zahn D.R.T., “Surface Enhanced Raman Scattering of Light by Zno Nanostructures”, J. Exp. Theor. Phys., 113:6 (2011), 983–991
Devki N. Talwar, “Direct evidence of LO phonon-plasmon coupled modes in n-GaN”, Appl Phys Lett, 97:5 (2010), 051902
Е. Г. Максимов, А. Е. Каракозов, “О неадиабатических эффектах в фононных спектрах металлов”, УФН, 178:6 (2008), 561–576 ; E. G. Maksimov, A. E. Karakozov, “On nonadiabatic effects in phonon spectra of metals”, Phys. Usp., 51:6 (2008), 535–549
Shiryaev, AA, “Isotopic heterogeneity in synthetic and natural silicon carbide”, Journal of Physics and Chemistry of Solids, 69:10 (2008), 2492
Fumeron, S, “Multiscale heat conduction near a disclination”, EPL, 82:6 (2008), 66003
Dmitruk, N, “Morphology, Raman scattering and photoluminescence of porous GaAs layers”, Sensors and Actuators B-Chemical, 126:1 (2007), 294
L. A. Falkovsky, “Disorder effects on the Raman line shape in ZrO2”, Sov Phys JETP, 102:1 (2006), 155

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	456
PDF полного текста:	126
Список литературы:	46
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:
math-net2025_03@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы