Анизотропия проводимости и псевдощель в микроволновом отклике высокотемпературных сверхпроводников

Представлен обзор и критический анализ результатов исследований температурных зависимостей поверхностного импеданса $Z(T)=R(T)+\mathrm{i}X(T)$ и комплексной проводимости $\sigma(T)=\sigma'(T)-\mathrm{i}\sigma''(T)$ в $ab$-плоскостях и вдоль $с$-оси кристаллов высокотемпературных сверхпроводников. Рассмотрен электродинамический метод извлечения всех компонент тензоров $\hat\sigma(T)$ и $\hat Z(T)$ из измеряемых в микроволновом эксперименте величин. Основное внимание уделяется эволюции зависимостей $\hat Z(T)$ и $\hat\sigma(T)$ в кристалле $\mathrm{YВа}_2\mathrm{Сu}_3\mathrm{O}_{7-x}$ при вариациях кислородного допирования в нем. Обсуждаются возможные механизмы проводимости в рамках моделей нормального, сверхпроводящего и псевдощелевого состояний ВТСП.