Ф. Ф. Комаров, “Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий”, УФН, 173:12 (2003), 1287–1318; Phys. Usp., 46:12 (2003), 1253

Успехи физических наук

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Скоро в журнале
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Успехи физических наук, 2003, том 173, номер 12, страницы 1287–1318
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200312b.1287 (Mi ufn2205)

Эта публикация цитируется в 112 научных статьях (всего в 112 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий

Ф. Ф. Комаров

Белорусский государственный университет

PDF полного текста (8373 kB) Список цитирования (112)

Список литературы:

PDF

HTML

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200312b.1287

Аннотация: Приведен анализ современного состояния исследований процессов и механизмов дефектообразования и трекообразования при облучении материалов быстрыми ионами. Показано, что природа и морфология треков зависят от типа твердых тел, структурного состояния и плотности выделенной энергии в их электронную подсистему. Релаксация сильных электронных возбуждений имеет доминирующее значение в процессе трекообразования. Обсуждаются механизмы формирования прерывистых треков, трековой миграции атомов и трекового каналирования ионов.

Поступила: 18 июля 2002 г.
Доработана: 15 января 2003 г.

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2003, Volume 46, Issue 12, Pages 1253–1282
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2003v046n12ABEH001286

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 61.80.-x, 61.82.-d, 61.85.+p

Образец цитирования: Ф. Ф. Комаров, “Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий”, УФН, 173:12 (2003), 1287–1318; Phys. Usp., 46:12 (2003), 1253–1282

Цитирование в формате AMSBIB

\RBibitem{Kom03}

\by Ф.~Ф.~Комаров

\paper Дефектообразование и трекообразование в твердых телах при облучении ионами сверхвысоких энергий

\jour УФН

\yr 2003

\vol 173

\issue 12

\pages 1287--1318

\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn2205}

\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0173.200312b.1287}

\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2003PhyU...46.1253K}

\transl

\jour Phys. Usp.

\yr 2003

\vol 46

\issue 12

\pages 1253--1282

\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2003v046n12ABEH001286}

\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000221527200002}

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ufn2205

https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v173/i12/p1287

Эта публикация цитируется в следующих 112 статьяx:

N.M. Kazuchits, V.N. Kazuchits, O.V. Korolik, M.S. Rusetsky, V.A. Skuratov, A.M. Zaitsev, “Formation and depth distribution of optically active centers in diamond implanted with high energy xenon ions”, Diamond and Related Materials, 151 (2025), 111837
А. I. Ivanova, D. О. Vakhrushev, О. S. Korneva, А. V. Gurulev, V. А. Varlachev, D. D. Efimov, А. А. Chernyshev, “Investigation of high-intensity implantation of titanium ions into silicon under conditions of the beam's energy impact on the surface”, Poverhnostʹ. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniâ, 2025, № 10, 74
D.I. Zainutdinov, V.A. Borodin, S.A. Gorbunov, N. Medvedev, R.A. Rymzhanov, M.V. Sorokin, R.A. Voronkov, A.E. Volkov, “High-temperature threshold of damage of SiC by swift heavy ions”, Journal of Alloys and Compounds, 1013 (2025), 178524
L.L. Meisner, S.N. Meisner, S.V. Panin, A.A. Bogdanov, V.O. Semin, M.G. Ostapenko, F.A. D'yachenko, K.P. Savkin, “Effect of tantalum ion implantation on deformation behavior and fracture of TiNi SMA. Part I. quasi-static tension”, Materials Science and Engineering: A, 892 (2024), 146064
Pagava Temur, Chkhartishvili Levan, Beridze Manana, Khocholava Darejan, Shogiradze Marina, Esiava Ramaz, “Qualitative Model of Electrical Conductivity of Irradiated Semiconductor”, IgMin Res, 2:4 (2024), 199
D. I. Zainutdinov, R. A. Voronkov, S. A. Gorbunov, N. Medvedev, R. A. Rymzhanov, M. V. Sorokin, A. E. Volkov, “Modeling of Temperature Effects on the Formation of Tracks of Swift Heavy Ions in Silicon Carbide”, J. Surf. Investig., 18:3 (2024), 683
A. I. Ivanova, D. O. Vakhrushev, O. S. Korneva, A. V. Gurulev, V. A. Varlachev, D. D. Efimov, A. A. Chernyshev, “Investigation of High-Intensity Implantation of Titanium Ions into Silicon under Conditions of Beam Energy Impact on the Surface”, J. Surf. Investig., 18:5 (2024), 1216
Tagaymurod Salikhov, Abdurahmon Abdurahmonov, “EFFECT OF ANNEALING TEMPERATURE ON THE STRUCTURE AND THERMAL PROPERTIES OF GRAPHENE OXIDE-FILLED POLYETHYLENE”, tnusns, 2024:3 (2024)
N. Medvedev, A. E. Volkov, R. Rymzhanov, F. Akhmetov, S. Gorbunov, R. Voronkov, P. Babaev, “Frontiers, challenges, and solutions in modeling of swift heavy ion effects in materials”, Journal of Applied Physics, 133:10 (2023)
Ruslan A. Rymzhanov, Alexander E. Volkov, Anel D. Ibrayeva, “Modelling of nanocrystalline insulators response to swift heavy ion irradiation”, Computational Materials Science, 221 (2023), 112078
Dana S. Yerimbetova, Artem L. Kozlovskiy, Umitali N. Tuichiyev, Kassym S. Zhumadilov, “Study of the Sensitivity Limit of Detection of α-Particles by Polymer Film Detectors LR-115 Type 2 Using X-ray Diffraction and UV-Vis Spectroscopic Methods”, Polymers, 15:11 (2023), 2500
A. I. Ivanova, G. A. Bleykher, “Numerical Simulation of Thermal Processes and the Effect of Heating of Near-Surface Layers of Titanium on the Diffusion Transfer of Dopants during High-Intensity Pulsed Ion Implantation”, J. Surf. Investig., 17:6 (2023), 1458
S.G. Cherkova, V.A. Volodin, V.A. Skuratov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “Formation of light-emitting defects in silicon by swift heavy ion irradiation and subsequent annealing”, Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 535 (2023), 132
Hu P., Xu L., Zhai P., Zeng J., Zhang Sh., Maaz Kh., Ai W., Li Z., Sun Y., He Yu., Liu J., “Evidence of Defect-Annealing Effect in Swift Heavy-Ion-Irradiated Indium Phosphide”, J. Raman Spectrosc., 53:5 (2022), 1003–1011
Safronov V I., Uglov V.V., Strechko A.O., Zlotski V S., Ke J., Remnev G.E., “Thermal Effects in Multicomponent Equiatomic Ni-Based Alloys Under High-Energy Irradiation With Kr Ions”, Russ. Phys. J., 64:10 (2022), 1967–1976
Eugene Surdutovich, Alexey V. Verkhovtsev, Andrey V. Solov'yov, Lecture Notes in Nanoscale Science and Technology, 34, Dynamics of Systems on the Nanoscale, 2022, 389
R. A. Rymzhanov, A. E. Volkov, A. Zhalmagambetova, A. Zhumazhanova, V. Skuratov, A. K. Dauletbekova, A. T. Akilbekov, “Modelling of track formation in nanocrystalline inclusions in Si3N4”, Journal of Applied Physics, 132:8 (2022)
V.I. Baryshnikov, V.L. Paperny, A.B. Chernyh, 8th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects, 2022, 41
S. G. Cherkova, V. A. Volodin, V. A. Skuratov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “IR Photoluminescence of Silicon Irradiated with High-Energy Xe Ions after Annealing”, Optoelectron.Instrument.Proc., 58:6 (2022), 633
Rogozhkin S.V., Bogachev A.A., Nikitin A.A., Vasiliev A.L., Presnyakov M.Yu., Tomut M., Trautmann Ch., “Tem Analysis of Radiation Effects in Ods Steels Induced By Swift Heavy Ions”, Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. Sect. B-Beam Interact. Mater. Atoms, 486 (2021), 1–10

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	622
PDF полного текста:	203
Список литературы:	52
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:
math-net2025_03@mi-ras.ru

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы