PDF полного текста (538 kB) Список цитирования (6)

DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0170.200003i.0325

Поступила: 8 декабря 1999 г.

Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2000, Volume 43, Issue 3, Pages 283–285
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2000v043n03ABEH000698

Реферативные базы данных:

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/ufn1730

https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v170/i3/p325

КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

• Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (24 ноября 1999 г.)
  УФН, 2000, 170:3, 325–341
• Низкоразмерные электроны в криволинейных наноструктурах
  Л. И. Магарилл, Д. А. Романов, А. В. Чаплик
  УФН, 2000, 170:3, 325–327
• Туннельные измерения кулоновской псевдощели в двумерной электронной системе в квантующем магнитном поле (Сессия РАН 24.11.1999)
  Э. В. Девятов, А. А. Шашкин, В. Т. Долгополов, В. Хансен, М. Холланд
  УФН, 2000, 170:3, 327–331
• Коллективные эффекты в искусственных двумерных решетках ферромагнитных наночастиц
  С. А. Гусев, Ю. Н. Ноздрин, М. В. Сапожников, А. А. Фраерман
  УФН, 2000, 170:3, 331–333
• Теория когерентной генерации туннельно-резонансного диода
  В. Ф. Елесин, И. Ю. Катеев, А. В. Крашенинников, А. И. Подливаев
  УФН, 2000, 170:3, 333–335
• Эффекты экситон-электронного вращения в структурах с квантовыми ямами, содержащими двумерный электронный газ
  В. П. Кочерешко, Р. А. Сурис, Д. Г. Яковлев
  УФН, 2000, 170:3, 335–338
• Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si_1–xGe_x и Si_1–x–yGe_xC_y
  З. Ф. Красильник, А. В. Новиков
  УФН, 2000, 170:3, 338–341

Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles