Аннотация:
Представлен обзор возможностей, которые предоставляет исследование фотоэлектрических эффектов в 3D топологических изоляторах и ряде других топологически нетривиальных материалов при их возбуждении терагерцовым излучением. Показано, что в ряде случаев информация об электронных состояниях, полученная с помощью таких экспериментов, является уникальной.
Образец цитирования:
А. В. Галеева, А. С. Казаков, Д. Р. Хохлов, “Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты”, УФН, 194:10 (2024), 1046–1058; Phys. Usp., 67:10 (2024), 988–999