Резонансное туннелирование в высокотемпературных сверхпроводниках

Обзор работ автора по резонансному туннелированию, как механизму переноса электронов вдоль оси c в высокотемпературных слоистых купратах. Сформулирована задача и описаны качественные принципы механизма, проведен расчет реальных физических свойств и сравнение с экспериментальными данными для температурной зависимости проводимости в нормальном состоянии, частотной зависимости оптической проводимости и стационарного сверхпроводящего тока вдоль оси c. Показано, что для последнего первостепенное значение имеет когерентность резонансного туннелирования через разные центры. Предложено объяснение резкого уменьшения T_c и роста отношения 2Δ(0)/T_c при уменьшении концентрации кислорода, основанное на ослаблении связи между плоскостями и возникновении вихревых флуктуаций. Некоторые важные черты резонансного туннелирования продемонстрированы на простых моделях.