Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1998, том 168, номер 2, страницы 219–222
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199802ac.0219
(Mi ufn1444)
 

КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов

В. А. Крупенинa, С. В. Лотховa, Х. Шерерb, А. Б. Зоринb, Ф. Й. Алерсb, Й. Нимайерb, Х. Вольфb

a Лаборатория крио- электроники, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
b Physikalisch-Technische Bundesanstalt
Поступила: 31 декабря 1998 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1998, Volume 41, Issue 2, Pages 204–206
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1998v041n02ABEH000365
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 73.40.-c, 74.80.Fp


Образец цитирования: В. А. Крупенин, С. В. Лотхов, Х. Шерер, А. Б. Зорин, Ф. Й. Алерс, Й. Нимайер, Х. Вольф, “Зондирование динамических зарядовых состояний с помощью одноэлектронных туннельных транзисторов”, УФН, 168:2 (1998), 219–222; Phys. Usp., 41:2 (1998), 204–206
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn1444
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v168/i2/p219
    КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024