Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1998, том 168, номер 2, страницы 200–203
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0168.199802w.0200
(Mi ufn1438)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

Электроны в квазиодномерных проводниках: от высокотемпературной диффузии к низкотемпературной прыжковой проводимости

М. Е. Гершензонa, Ю. Б. Хавинa, А. Л. Богдановb

a Rutgers, The State University of New Jersey
b Lund University
Поступила: 31 декабря 1998 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1998, Volume 41, Issue 2, Pages 186–189
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1998v041n02ABEH000360
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 05.50.+q, 73.20.Dx


Образец цитирования: М. Е. Гершензон, Ю. Б. Хавин, А. Л. Богданов, “Электроны в квазиодномерных проводниках: от высокотемпературной диффузии к низкотемпературной прыжковой проводимости”, УФН, 168:2 (1998), 200–203; Phys. Usp., 41:2 (1998), 186–189
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn1438
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v168/i2/p200
    КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ
    Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:155
    PDF полного текста:64
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024