Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1997, том 167, номер 3, страницы 289–307
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199703e.0289
(Mi ufn1295)
 

Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ

Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников

Р. З. Бахтизинa, Т. Хашицумеb, Ш.-Д. Вонгc, Т. Сакурайc

a Башкирский государственный университет, г. Уфа
b Hitachi Advanced Research Laboratory, Hitachi, Ltd., Hatoyama, Saitama, Japan
c Institute for Materials Research, Tohoku University
Аннотация: Представлен обзор современного состояния работ по сверхвысоковакуумной сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) молекул фуллеренов с использованием результатов исследований авторов. Основное внимание уделено рассмотрению взаимодействия фуллеренов C$_{60}$, C$_{70}$ и их смеси с поверхностями полупроводников (Si(111)-7$\times$7 и Si(100)-2$\times$1) и металлов (Cu(111)-1$\times$1 и Ag(111)-1$\times$1). Использование СТМ позволило осуществить прямое наблюдение адсорбционной геометрии фуллеренов и соответствующей реконструкции поверхности, а на изображениях с высоким разрешением — обнаружить внутримолекулярные структуры, которые проанализированы теоретически с привлечением модели локального распределения заряда. Приведены и обсуждаются результаты исследования упорядоченного роста пленок фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников.
Поступила: 31 декабря 1997 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 1997, Volume 40, Issue 3, Pages 275–290
DOI: https://doi.org/10.1070/PU1997v040n03ABEH000213
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.35.Bs, 61.16.Ch, 61.46.+w, 68.65.+g
Образец цитирования: Р. З. Бахтизин, Т. Хашицуме, Ш.-Д. Вонг, Т. Сакурай, “Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников”, УФН, 167:3 (1997), 289–307; Phys. Usp., 40:3 (1997), 275–290
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BakHasWan97}
\by Р.~З.~Бахтизин, Т.~Хашицуме, Ш.-Д.~Вонг, Т.~Сакурай
\paper Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников
\jour УФН
\yr 1997
\vol 167
\issue 3
\pages 289--307
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn1295}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0167.199703e.0289}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 1997
\vol 40
\issue 3
\pages 275--290
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU1997v040n03ABEH000213}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=A1997WU37100005}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn1295
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v167/i3/p289
  • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024