Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Успехи физических наук, 1964, том 82, номер 2, страницы 325–386
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0082.196402f.0325
(Mi ufn11907)
 

Эта публикация цитируется в 32 научных статьях (всего в 32 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Образование и свойства чистых поверхностей полупроводников

Г. Гейланд
Англоязычная версия:
Fortschr. Phys., 1961, Volume 9, Issue 8, Pages 393–454
DOI: https://doi.org/10.1002/PROP.19610090802
Тип публикации: Статья
УДК: 537.311.33
Образец цитирования: Г. Гейланд, “Образование и свойства чистых поверхностей полупроводников”, УФН, 82:2 (1964), 325–386; Fortschr. Phys., 9:8 (1961), 393–454
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{еil64}
\by Г.~Гейланд
\paper Образование и свойства чистых поверхностей полупроводников
\jour УФН
\yr 1964
\vol 82
\issue 2
\pages 325--386
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn11907}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0082.196402f.0325}
\transl
\jour Fortschr. Phys.
\yr 1961
\vol 9
\issue 8
\pages 393--454
\crossref{https://doi.org/10.1002/PROP.19610090802}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn11907
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v82/i2/p325
  • Эта публикация цитируется в следующих 32 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024