О поглощении света и прилипании электронов и положительных дырок в кристаллических диэлектриках. I

В части I показано, что поглощение света в кристаллическом диэлектрике может вызвать возбуждение последнего без ионизации; при этом “экситон”, представляющий собой возбужденное состояние, должен двигаться в решетке кристалла таким же образом, как электрон или положительная дырка в случае ионизации. С поглощением фотона, вызывающим образование экситона, может быть связано испускание или поглощение одного фонона, а также передача квантованного импульса решетке в целом; этими обстоятельствами спектр поглощения значительно осложняется.
Вводя в рассмотрение искажение кристаллической решетки вблизи возбужденного атома, можно объяснить захват (“прилипание”) экситона, приводящий в конце концов к превращению его в большое количество фононов, что соответствует конечной стадии процесса превращения света в тепло в твердых телах.
Применение тех же принципов к электронам и положительным дыркам в оптически ионизованном кристалле позволяет объяснить явления “прилипания”, характерные для диэлектриков и электронных полупроводников, не вводя представлений о физических неоднородностях или о химических примесях.