Комбинационное рассеяние света в кристаллах

Спектры комбинационного рассеяния (КР) света в кристаллах позволяют получать ценную информацию о динамике кристаллической решетки. В работе дан обзор последних достижений в этой области. Подробно описываются и сравниваются две концепции в теории динамики кристаллической решетки, развитые Борном и Раманом. Метод Борна основан на циклических граничных условиях на границах основного объема кристалла, в то время как Раман исходит из предпосылки, что нормальные колебания частиц кристалла не следует отождествлять со всеми возможными движениями, следующими из циклических условий. При этом в работе описываются колебания одномерной и трехмерной решеток, полярные колебания и колебания отдельных молекул или групп атомов в кристаллах. Вопросы колебаний в кристаллах различных типов подробно освещены с точки зрения теории симметрии кристаллической решетки; общие выводы теории иллюстрируются рядом примеров. Затем в работе устанавливается связь спектров КР с колебаниями кристаллической решетки. Дана современная теория интенсивности линии КР в спектрах первого и второго порядков. На основе общей теории устанавливаются правила отбора в спектрах КР, иллюстрируемые рядом конкретных примеров кристаллов простейшего типа. Рассмотрены особенности рассеяния света в молекулярных и пьезоэлектрических кристаллах и вблизи точек фазовых переходов. Освещены последние достижения в области КР, связанные с использованием лазерных источников света, позволивших наблюдать КР с участием квазичастиц кристалла, отличных от фононов (плазмоны, спиновые волны и т. д.).
Таблиц 11, иллюстраций 16, библиографических ссылок 165.