|
Эта публикация цитируется в 25 научных статьях (всего в 25 статьях)
ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ
Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах
В. Б. Шикинa, Ю. В. Шикинаb a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
Аннотация:
Обсуждается состояние проблемы заряженных дислокаций в полупроводниковых кристаллах германия и кремния. Для описания равновесных свойств пластически деформированных германия и кремния использована феноменологическая модель электронного спектра на заряженных дислокациях в этих кристаллах, развивающая представления Шокли–Рида. Модель содержит два акцепторных уровня $E_1$ и $E_2$, а также один донорный $\varepsilon_1$. Кроме того, оказывается необходимым введение конечной емкости $C_1$ для акцепторного уровня $E_1$. В рамках принятой модели удается самосогласованно описать основные электрические свойства пластически деформированных германия и кремния. Речь идет о проводимости этих кристаллов в $n$ и $p$ состояниях, деталях инверсии типа проводимости дислокационного происхождения, особенностях ВАХ для кристаллов с ориентированным набором дислокаций, простейших релаксационных явлениях и т.д. При этом для германия уровень $E_1$ оказывается расположенным в окрестности $E_1\simeq 0,1$ эВ над потолком валентной зоны, а емкость $C_1\lesssim0,1$. В случае кремния $E_1\simeq0,4$ эВ, $C_1\lesssim0,1$. Обращает на себя внимание малость емкости $C_1$, что оправдывает введение этих дополнительных параметров в характиристики электронного спектра на дислокациях.
Поступила: 1 июля 1995 г.
Образец цитирования:
В. Б. Шикин, Ю. В. Шикина, “Заряженные дислокации в полупроводниковых кристаллах”, УФН, 165:8 (1995), 887–917; Phys. Usp., 38:8 (1995), 845–875
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn1106 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v165/i8/p887
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 187 | PDF полного текста: | 75 | Первая страница: | 1 |
|