Расчеты динамики решетки кристаллов из первых принципов

Представлен обзор применения теории функционала плотности для расчетов динамики решетки кристаллов. Подход основан на вычислении в первом порядке по смещению ядер изменения потенциала и зарядовой плотности с использованием теории линейного отклика и метода линейных МТ-орбиталей. Это позволяет трактовать единым образом как простые системы с почти свободными электронами, так и переходные металлы. Применимость метода демонстрируется на расчете кривых дисперсии фононов в Nb и Mo, результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.