Повышение точности управления температурным режимом в установках выращивания кристаллов

Рассматривается многосвязная система автоматического управления температурным режимом в установках выращивания кристаллов, позволившая обеспечить регулирование температуры вокруг растущего кристалла с точностью 0,05–0,1 градусов на протяжении всего ростового цикла. Проектирование системы управления основано на предварительном исследовании и выборе информационной структуры многосвязной системы с целью уменьшения взаимного влияния каналов в объекте управления и изменения его параметров в процессе роста кристалла. Исследование системы и определение стратегии управления проводится на базе динамической численной двумерной модели тепломассопереноса при кристаллизации. Управление многомерным объектом осуществляется с помощью сепаратных ПИД-регуляторов.