Теплофизика высоких температур
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Теплофизика высоких температур, 2009, том 47, выпуск 4, страницы 516–521 (Mi tvt836)  
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Исследование плазмы

Повышение отключающей способности вакуумного промежутка с поперечными магнитным полем с помощью шунтирующего резистора

Д. Ф. Алферов, Д. В. Евсин, В. П. Иванов

Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина" (ФГУП ВЭИ), г. Москва
PDF полного текста (500 kB) Список цитирования (7)
Аннотация: Исследована возможность повышения отключающей способности вакуумного промежутка с постоянным аксиально-симметричным магнитным полем посредством шунтирующего резистора с сопротивлением $0.5$–$2$ Ом. Исследования проводились при нарастающем во времени токе с амплитудой до $1000$ А. Найдена зависимость тока ограничения от сопротивления шунтирующего резистора и скорости нарастания тока.
Поступила в редакцию: 15.04.2008
Англоязычная версия:
High Temperature, 2009, Volume 47, Issue 4, Pages 489–493
DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X09040051
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 621.387.35
Образец цитирования: Д. Ф. Алферов, Д. В. Евсин, В. П. Иванов, “Повышение отключающей способности вакуумного промежутка с поперечными магнитным полем с помощью шунтирующего резистора”, ТВТ, 47:4 (2009), 516–521; High Temperature, 47:4 (2009), 489–493
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AlfEvsIva09}
\by Д.~Ф.~Алферов, Д.~В.~Евсин, В.~П.~Иванов
\paper Повышение отключающей способности вакуумного промежутка с поперечными магнитным полем с помощью шунтирующего резистора
\jour ТВТ
\yr 2009
\vol 47
\issue 4
\pages 516--521
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt836}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2009
\vol 47
\issue 4
\pages 489--493
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X09040051}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000268784800004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-68849097137}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt836
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v47/i4/p516
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:156
    PDF полного текста:63
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024