Температуропроводность нитрида циркония в области гомогенности

Методом плоских температурных волн в интервале температур $1000$–$1800^\circ$ С измерена температуропроводность, полученных методом сквозного насыщения иодидного циркония, образцов нитрида циркония в области гомогенности. Получено, что с увеличением концентрации металлоидных вакансий знак температурного коэффициента температуропроводности изменяется с отрицательного на положительный. Это связано с электронным вкладом в температуропроводность, который может быть значительным в материалах с дефектной структурой. Сопоставление величин $a$ образцов $\mathrm{ZrN}_x$ одинакового состава, полученных методом сквозного насыщения и химического газофазного осаждения, показали существенное влияние характера микроструктуры и ориентации кристаллитов на температуропроводность нитрида циркония.