Теплофизика высоких температур
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Теплофизика высоких температур, 1979, том 17, выпуск 5, страницы 949–959 (Mi tvt6868)  
Исследование плазмы

Теория плазменного диода

Я. И. Лондер, К. Н. Ульянов

Всесоюзный электротехнический институт им. В. И. Ленина
PDF полного текста (591 kB)
Аннотация: Рассмотрена теория плоского плазменного диода с накаленным катодом. Исследованы различные системы, отличающиеся способами генерации плазмы и механизмами устранения заряженных частиц. Получены выражения для вольт-амперной характеристики плазменного диода и для размера слоя пространственного заряда в зависимости от параметров системы. Проведено качественное рассмотрение вопроса об устойчивости плазменной границы и влиянии ионизации в слое на характеристики диода.
Поступила в редакцию: 10.03.1978
Тип публикации: Статья
УДК: 533.9.07
Образец цитирования: Я. И. Лондер, К. Н. Ульянов, “Теория плазменного диода”, ТВТ, 17:5 (1979), 949–959
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LonUly79}
\by Я.~И.~Лондер, К.~Н.~Ульянов
\paper Теория плазменного диода
\jour ТВТ
\yr 1979
\vol 17
\issue 5
\pages 949--959
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt6868}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt6868
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v17/i5/p949
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024