|
Теплофизика высоких температур, 1982, том 20, выпуск 2, страницы 215–219
(Mi tvt6281)
|
|
|
|
Исследование плазмы
О структуре профиля электронной концентрации в окрестности локализованных неоднородностей при амбиполярной диффузии замагниченной рекомбинирующей плазмы
Л. Н. Заседкаab, В. Ф. Резцовab a Киевский государственный университет им. Т. Г. Шевченко
b Институт электродинамики АН УССР, г. Киев
Аннотация:
В приближении амбиполярной диффузии рассмотрена задача о структуре пограничного слоя электронов
в окрестности макроскопических неоднородностей с учетом электрон-ионной рекомбинации. Показано, что при значениях электронной концентрации на границе включений, меньших концентрации электронов вдали от неоднородностей, структура пограничного слоя определяется ионизацией, а в противоположном случае – рекомбинацией. Влияние магнитного поля сводится к уменьшению толщины пограничного слоя в областях, где векторы магнитного поля и градиента электронной концентрации ориентированы перпендикулярно, вследствие уменьшения электронной подвижности в поперечном магнитном поле.
Поступила в редакцию: 18.03.1981
Образец цитирования:
Л. Н. Заседка, В. Ф. Резцов, “О структуре профиля электронной концентрации в окрестности локализованных неоднородностей при амбиполярной диффузии замагниченной рекомбинирующей плазмы”, ТВТ, 20:2 (1982), 215–219; High Temperature, 20:2 (1982), 184–188
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tvt6281 https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v20/i2/p215
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 119 | PDF полного текста: | 63 |
|