О структуре профиля электронной концентрации в окрестности локализованных неоднородностей при амбиполярной диффузии замагниченной рекомбинирующей плазмы

В приближении амбиполярной диффузии рассмотрена задача о структуре пограничного слоя электронов в окрестности макроскопических неоднородностей с учетом электрон-ионной рекомбинации. Показано, что при значениях электронной концентрации на границе включений, меньших концентрации электронов вдали от неоднородностей, структура пограничного слоя определяется ионизацией, а в противоположном случае – рекомбинацией. Влияние магнитного поля сводится к уменьшению толщины пограничного слоя в областях, где векторы магнитного поля и градиента электронной концентрации ориентированы перпендикулярно, вследствие уменьшения электронной подвижности в поперечном магнитном поле.