|
Теплофизика высоких температур, 1987, том 25, выпуск 2, страницы 267–273
(Mi tvt4625)
|
|
|
|
Теплофизические свойства веществ
Электропроводность и термо-э.д.с. расплавов систем, образованных халькогенидами
меди и серебра
В. М. Глазов, А. С. Бурханов, С. М. Мамедов Московский институт электронной техники
Аннотация:
Исследована температурная зависимость электропроводности и термо-э. д. с. расплавов систем $\mathrm{Ag}_2\mathrm{B}^{\mathrm{VI}}$–$\mathrm{Cu}_2\mathrm{B}^{\mathrm{VI}}$ и $\mathrm{Ag}_2\mathrm{B}^{\mathrm{VI}}$–$\mathrm{Ag}_2\mathrm{B}^{\mathrm{VI}}(\mathrm{B}^{\mathrm{VI}}-\mathrm{S},\mathrm{Se}, \mathrm{Te})$. Показано, что эти расплавы можно рассматривать как жидкие полупроводники. Для систем $\mathrm{Ag}_2\mathrm{S}$–$\mathrm{Cu}_2\mathrm{S}$ и $\mathrm{Ag}_2\mathrm{Se}$–$\mathrm{Cu}_2\mathrm{Se}$, а также $\mathrm{Ag}_2\mathrm{S}$– $\mathrm{Ag}_2\mathrm{Te}$ и $\mathrm{Ag}_2\mathrm{Se}$– $\mathrm{Ag}_2\mathrm{Te}$ на концентрационной зависимости отмечена инверсия знака температурного коэффициента электропроводности, что объясняется постепенным подавлением влияния диссоциации сульфида и селенида серебра по мере добавления соответственно сульфида и селенида меди либо теллурида серебра на подвижность носителей заряда. В результате фактор, связанный с влиянием термической генерации носителей заряда при нагреве расплава после достижения определенной концентрации $\mathrm{Cu}_2\mathrm{S}$, $\mathrm{Cu}_2\mathrm{Se}$ или $\mathrm{Ag}_2\mathrm{Te}$, оказывается превалирующим и температурный коэффициент электропроводности меняет знак.
Поступила в редакцию: 15.07.1985
Образец цитирования:
В. М. Глазов, А. С. Бурханов, С. М. Мамедов, “Электропроводность и термо-э.д.с. расплавов систем, образованных халькогенидами
меди и серебра”, ТВТ, 25:2 (1987), 267–273; High Temperature, 25:2 (1987), 189–194
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tvt4625 https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v25/i2/p267
|
|