Определение свободной энергии поверхности кристалл-расплав

Представлены результаты вычисления свободной энергии поверхности кристалл-расплав $\gamma$ при помощи метода молекулярной динамики. Энергия поверхности определена на основе анализа спектра капиллярных флуктуаций в двухфазной системе. Определены значения свободной энергии поверхности кристалл-расплав для алюминия на кривой плавления в диапазоне температур от $935$ К до $1110$ К. Оценена величина анизотропии свободной энергии поверхности для различных ориентаций. Показано, что свободные энергии основных поверхностей расположены в порядке $\gamma_{100}>\gamma_{110}>\gamma_{111}$. Обнаружен рост величины свободной энергии поверхности кристалл-расплав при увеличении температуры вдоль кривой плавления.