|
Теплофизика высоких температур, 1991, том 29, выпуск 6, страницы 1060–1065
(Mi tvt4500)
|
|
|
|
Исследование плазмы
Прилипание электрона к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ в слабоионизованной плазме
Н. Л. Александров, А. М. Кончаков Московский физико-технический институт
Аннотация:
Изучен механизм прилипания электрона к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ в слабоионизованной плазме при наличии внешнего электрического поля. Проведен расчет константы скорости диссоциативного прилипания с учетом неравновесности энергетического распределения электронов. Показано, что наблюдаемое в эксперименте [5] с электронными «роями» эффективное трехчастичное прилипание объясняется диссоциативным прилипанием к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ и ионно-молекулярными реакциями, приводящими к освобождению электронов или образованию сложных отрицательных ионов.
Поступила в редакцию: 07.05.1991
Образец цитирования:
Н. Л. Александров, А. М. Кончаков, “Прилипание электрона к молекуле $\mathrm{N}_2\mathrm{O}$ в слабоионизованной плазме”, ТВТ, 29:6 (1991), 1060–1065; High Temperature, 29:6 (1991), 850–855
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tvt4500 https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v29/i6/p1060
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 144 | PDF полного текста: | 66 |
|