Начальная стадия пробоя в $\mathrm{SF}_6$

Рассмотрено установление распределения электронов в стационарном таунсендовском разряде в $\mathrm{SF}_6$ для случая, когда основными являются потери энергии электронов на возбуждение электронных состояний молекул. Получена немонотонная зависимость длины энергетической релаксации $l_\mathrm{T}$ от $E/p$, причем при больших $E/p$ величина $l_\mathrm{T}$ определяется процессами возбуждения электронных уровней молекулы $\mathrm{SF}_6$ с энергией, превышающей энергию первого электронного уровня. Численно методом Монте-Карло исследована начальная стадия пробоя в $\mathrm{SF}_6$ для двух механизмов образования начального электрона: фотоэффекта и автоэлектронной эмиссии. Показано, что коэффициент прилипания в первом случае в несколько раз больше, чем во втором. Предложена модель, позволяющая вычислить $l_\mathrm{T}$ и учитывающая несколько электронных уровней. Оценки $l_\mathrm{T}$ по многоуровневой модели согласуются с результатами численного моделирования методом Монте-Карло.