Об определении газовой температуры по распределению интенсивности во вращательной структуре полос двухатомных молекул, возбуждаемых электронным ударом

В рамках простых кинетических моделей получена связь распределений заселенности по вращательным уровням короткоживущих возбужденных $\Sigma$ и $\Pi$ колебательно-вращательных состояний гомо- и гетероядерных двухатомных молекул, возбуждаемых электронным ударом из долгоживущего $\Sigma$-состояния. Расчетным путем проанализировано влияние типа электронного перехода и матрицы вероятностей вращательных переходов, сопровождающих электронное возбуждение, на определение газовой температуры $T$ по интенсивностям разрешенной вращательной структуры молекулярных полос. Показана возможность определения $T$ по отношению заселенностей уровней $\Lambda$-дублетов $\Pi$-состояний гомоядерных молекул с ненулевым спином ядер.