|
Теплофизика высоких температур, 1992, том 30, выпуск 3, страницы 601–608
(Mi tvt3472)
|
|
|
|
Методы экспериментальных исследований и измерений
Моделирование тепломассопереноса при активационном отжиге арсенидталлие- вых полупроводниковых пластин
Ю. М. Мацевитый, Н. В. Балашова, А. В. Мултановский, П. В. Панасенко, В. М. Тимченко, В. П. Шерышев Институт проблем машиностроения Украины
Аннотация:
На основе концепции сосредоточенной емкости разработана математическая модель процессов тепломассопереноса в системе "пластина – покрытие" при формировании областей $n$-типа проводимости на полуизолирующем арсениде галлия. Исследована динамика полей температуры и концентрации имплантированной примеси в процессе активационного отжига арсенид-галлиевых пластин при движении пластины с постоянной скоростью относительно источника излучения и в случае ее фиксированного положения.
Поступила в редакцию: 10.07.1991
Образец цитирования:
Ю. М. Мацевитый, Н. В. Балашова, А. В. Мултановский, П. В. Панасенко, В. М. Тимченко, В. П. Шерышев, “Моделирование тепломассопереноса при активационном отжиге арсенидталлие- вых полупроводниковых пластин”, ТВТ, 30:3 (1992), 601–608; High Temperature, 30:3 (1992), 488–494
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tvt3472 https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v30/i3/p601
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 143 | PDF полного текста: | 73 |
|