Теплофизика высоких температур
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Теплофизика высоких температур, 2012, том 50, выпуск 1, страницы 65–73 (Mi tvt230)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Теплофизические свойства веществ

Компьютерное моделирование жидкого цинка

Д. К. Белащенко

Национальный исследовательский университет «Московский институт стали и сплавов»
Список литературы:
Аннотация: Разработан потенциал модели погруженного атома для цинка, позволяющий рассчитывать методом молекулярной динамики свойства жидкого цинка как при обычном давлении, так и в сильно сжатых состояниях. При расчете потенциала использованы данные по плотности, энергии и сжимаемости жидкого цинка, а также данные по ударному сжатию цинка. Парный вклад в потенциал и потенциал погружения представлены аналитическими функциями. Рассчитаны свойства жидкого цинка при температурах до $1500$ К. При $T<1000$ K значения энергии, модуля всестороннего сжатия и коэффициента самодиффузии, а также парные корреляционные функции хорошо согласуются с опытом. Электронный вклад в теплоемкость при этих температурах невелик. Построены модели цинка при плотности до $15.86\text{ г/см}^3$ и давлении до $773$ ГПа. При ударном сжатии модели цинка плавятся при степенях сжатия $V/V_0<0.7$ и температурах свыше $1900$ К. При температурах выше $20000$ К отмечен заметный вклад энергии возбуждения электронов в энергию цинка. Средняя избыточная теплоемкость электронов при $30000$$50000$ К оценена в $\sim12$ Дж/моль К. Расхождения между молекулярно-динамическим расчетом и моделью Грюнайзена при низких температурах относительно невелики, но возрастают с увеличением температуры. Построена серия моделей нанокластеров цинка с «магическими» размерами $55$ и $147$ атомов. После охлаждения от $600$ до $10$ К кластеры имеют аморфную структуру с энергией немного ниже, чем у икосаэдрической или кубооктаэдрической конфигураций. По зависимости энергии кластеров от размера рассчитана величина поверхностной энергии цинка при $T=0$, равная $1.3\text{ Дж/м}^2$.
Поступила в редакцию: 14.02.2011
Англоязычная версия:
High Temperature, 2012, Volume 50, Issue 1, Pages 61–69
DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X11060058
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 536.4;541.1
Образец цитирования: Д. К. Белащенко, “Компьютерное моделирование жидкого цинка”, ТВТ, 50:1 (2012), 65–73; High Temperature, 50:1 (2012), 61–69
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bel12}
\by Д.~К.~Белащенко
\paper Компьютерное моделирование жидкого цинка
\jour ТВТ
\yr 2012
\vol 50
\issue 1
\pages 65--73
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt230}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17313260}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2012
\vol 50
\issue 1
\pages 61--69
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X11060058}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000303513700009}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=17986007}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84861364492}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt230
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v50/i1/p65
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:265
    PDF полного текста:91
    Список литературы:49
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024