Динамика генерации свободных носителей в кремнии с различным типом легирования при воздействии терагерцевых импульсов

Представлены результаты экспериментальных исследований генерации свободных носителей в легированном кремнии $n$- и $p$-типа при воздействии переднего фронта терагерцевого импульса пикосекундной длительности с амплитудой электрического поля до $20$ МВ/см. Экспериментально показано, что коэффициент пропускания пробного фемтосекундного лазерного импульса, при росте напряженности поля от $10$ до $20$ МВ/см во время действия первого периода ТГц-импульса одинаков для образцов кремния с различным типом легирования. Проведено численное моделирование динамики заполнения носителями зоны проводимости в кремнии $n$- и $р$-типа. Показано, что в процессе роста напряжённости поля до величины $\sim10$ МВ/см, когда концентрация электрон-дырочных пар становится соизмеримой с концентрацией примесных электронов (дырок), будет доминировать электронная $(n$-тип$)$ или дырочная $(p$-тип$)$ ударная ионизация, что необходимо учитывать при расчетах.