Теплофизика высоких температур
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Теплофизика высоких температур, 2008, том 46, выпуск 5, страницы 786–788 (Mi tvt1146)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Краткие сообщения

Условие формирования 2D кулоновского кристалла на поверхности диэлектрика

Л. А. Жиляковa, А. В. Костановскийa, Г. П. Похилb

a Объединенный институт высоких температур РАН, г. Москва
b Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова
PDF полного текста (360 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: В представленной работе рассмотрен вопрос о распределении точечных зарядов на поверхности равномерно заряженной диэлектрической пластины и получено выражение для критерия формирования 2D кулоновского кристалла. Данный критерий не зависит от поверхностной плотности заряда, а определяется только температурой поверхности диэлектрика. При комнатной температуре совокупность точечных зарядов на диэлектрической поверхности может рассматриваться как 2D кулоновский кристалл.
Поступила в редакцию: 30.10.2007
Англоязычная версия:
High Temperature, 2008, Volume 46, Issue 5, Pages 721–724
DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X08050192
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
УДК: 537.213
PACS: 73.20.-r
Образец цитирования: Л. А. Жиляков, А. В. Костановский, Г. П. Похил, “Условие формирования 2D кулоновского кристалла на поверхности диэлектрика”, ТВТ, 46:5 (2008), 786–788; High Temperature, 46:5 (2008), 721–724
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhyKosPok08}
\by Л.~А.~Жиляков, А.~В.~Костановский, Г.~П.~Похил
\paper Условие формирования 2D кулоновского кристалла на поверхности диэлектрика
\jour ТВТ
\yr 2008
\vol 46
\issue 5
\pages 786--788
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt1146}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=11480052}
\transl
\jour High Temperature
\yr 2008
\vol 46
\issue 5
\pages 721--724
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X08050192}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000259416800019}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=13574142}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-52349093981}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt1146
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v46/i5/p786
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:132
    PDF полного текста:66
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024