Теплофизика высоких температур
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТВТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Теплофизика высоких температур, 2019, том 57, выпуск 6, статья опубликована в англоязычной версии журнала (Mi tvt10730)  

Статьи, опубликованные в английской версии журнала
Теплофизические свойства вещества

Synthesis and investigation of $\rm Al/Sn/La_2\rm O_3$ nanocomposite for gate dielectric applications

M. Nakhaei, M. Ebrahimzadeh, M. Padam, A. Bahari

Department of Solid State Physics, University of Mazandaran, Babolsar, Iran
Аннотация: In this research, TGA technique was used for determining thermal and gravimetrical stability of $\rm Al/Sn/La_2\rm O_3$ nanostructures prepared by sol-gel and spin-coating methods. Structural properties and surface morphology of the films were investigated by different analysis methods. Energy dispersive X-ray spectroscopy and a map were used to make a quantitative chemical analysis of unknown materials. Electrical properties of the samples were measured by metal-dielectric-semiconductor through capacitance–voltage and current rate–voltage. The conduction mechanism in the electrical field below $0.12$ MV/cm and in the temperature range of $335$ K $< T < 420$ K was found to be ohmic emission. A model of thermal excitation is proposed to explain the mechanism of ohmic conduction current. The highest value of dielectric constant $(k)$ was $\sim32$ at $T_1 = 200^{\circ}$C with almost amorphous structure. The results showed that at $T_1 = 200^{\circ}$C the $\rm Al/Sn/La_2\rm O_3$ nanostructure has lower leakage current rate and higher capacitance than those for other samples because of almost amorphous structure.
Поступила в редакцию: 08.07.2016
Исправленный вариант: 29.10.2016
Принята в печать: 27.12.2016
Англоязычная версия:
High Temperature, 2019, Volume 57, Issue 6, Pages 870–877
DOI: https://doi.org/10.1134/S0018151X19060191
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: M. Nakhaei, M. Ebrahimzadeh, M. Padam, A. Bahari, “Synthesis and investigation of $\rm Al/Sn/La_2\rm O_3$ nanocomposite for gate dielectric applications”, High Temperature, 57:6 (2019), 870–877
Цитирование в формате AMSBIB
\Bibitem{1}
\by M. Nakhaei, M. Ebrahimzadeh, M. Padam, A. Bahari
\paper Synthesis and investigation of $\rm Al/Sn/La_2\rm O_3$ nanocomposite for gate dielectric applications
\jour High Temperature
\yr 2019
\vol 57
\issue 6
\pages 870--877
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tvt10730}
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0018151X19060191}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000512977000013}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85079571282}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tvt10730
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Теплофизика высоких температур Теплофизика высоких температур
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:53
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024