Определение электронной температуры плазмы путем зондирования необыкновенной волной вдоль магнитного поля

Рассмотрена возможность определения электронной температуры плазмы путем зондирования необыкновенной волной в условиях, когда частота зондирующего поля меньше электронной циклотронной частоты и концентрация электронов превосходит критическое значение. Показа­тель поглощения такой плазмы, прозрачной лишь для необыкновенной волны, существенно зависит от напряженности магнитного поля. Это позволило определить эффективную частоту соударений по относительно­му изменению амплитуды волны при небольшом варьировании магнит­ного поля. Область варьирования выбрана такой, что столкновительное поглощение преобладает над другими. Экспериментальные исследова­ния проведены на волне $\lambda=3$ см при $H=4$–$10$ кгс. Найденные зна­чения температуры сравниваются с результатами диамагнитных измере­ний.