|
Теплофизика высоких температур, 1980, том 18, выпуск 4, страницы 695–702
(Mi tvt10160)
|
|
|
|
Исследования плазмы
Теория устойчивости нескинированного индукционного ВЧ-разряда в плотной плазме
В. Д. Хаит Институт высоких температур Академии наук СССР, г. Москва
Аннотация:
С использованием модельной зависимости электропроводности плазмы от температуры найдено точное решение стационарного баланса тепла для индукционного нескинированного ВЧ-разряда в плотной плазме. Введена вольт-амперная характеристика (ВАХ) активной нагрузки, вносимой плазмой в цепь индуктора. Исследована устойчивость баланса по отношению к возмущениям средней температуры плазмы. Показано, что устойчивость зависит от вида нагрузочной характеристики устройства, питающего индуктор. Показано, что даже в случае, когда неустой чивость к возмущениям средней температуры стабилизирована, на падающем участке ВАХ вносимого сопротивления возможно возникновение неустойчивости по отношению к возмущениям, неоднородным вдоль оси индуктора, приводящей к расслоению разряда на две фазы с различными параметрами плазмы в них.
Поступила в редакцию: 16.03.1979
Образец цитирования:
В. Д. Хаит, “Теория устойчивости нескинированного индукционного ВЧ-разряда в плотной плазме”, ТВТ, 18:4 (1980), 695–702
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tvt10160 https://www.mathnet.ru/rus/tvt/v18/i4/p695
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 63 | PDF полного текста: | 25 |
|