|
Самосогласованный подход к решению проблемы образования кристаллических решеток в электронно-дырочной плазме
Т. О. Воронковаa, А. М. Саррыab, М. Ф. Саррыa, С. Г. Скиданa a Российский федеральный ядерный центр – Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
b Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
Аннотация:
Гамильтониан Хаббарда для электронов $ns$-зон атомов кристалла преобразован в электронно-дырочный гамильтониан с помощью операторов Шибы. Этот гамильтониан используется для изучения поведения электронно-дырочной системы в зависимости от значений ее внутренних и внешних параметров. Показано, что в данной двухкомпонентной системе, в отличие от однокомпонентной электронной системы, нет условий для возникновения структурных фазовых переходов.
Ключевые слова:
структурные фазовые переходы.
Поступило в редакцию: 08.04.2018 После доработки: 25.10.2018
Образец цитирования:
Т. О. Воронкова, А. М. Сарры, М. Ф. Сарры, С. Г. Скидан, “Самосогласованный подход к решению проблемы образования кристаллических решеток в электронно-дырочной плазме”, ТМФ, 200:1 (2019), 158–170; Theoret. and Math. Phys., 200:1 (2019), 1063–1073
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tmf9579https://doi.org/10.4213/tmf9579 https://www.mathnet.ru/rus/tmf/v200/i1/p158
|
|