|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Статическая зарядовая восприимчивость в $t$-$J$-$V$ модели
Дан Тунг Нгун, Н. М. Плакида Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Московская обл., Россия
Аннотация:
Рассматривается статическая зарядовая восприимчивость и корреляционная функции плотности зарядов в двумерной t-J-V модели на основе метода уравнений движения для функции релаксации от операторов Хаббарда. Получена зависимость восприимчивости и корреляционной функции от концентрации дырок и температуры. Показано, что при достаточно сильном межузельном кулоновском в системе возможно появление волн зарядовой плотности.
Ключевые слова:
сильные электронные корреляции, зарядовая восприимчивость, высокотемпературная сверхпроводимость, t-J-V модель.
Поступило в редакцию: 28.04.2017
Образец цитирования:
Дан Тунг Нгун, Н. М. Плакида, “Статическая зарядовая восприимчивость в $t$-$J$-$V$ модели”, ТМФ, 194:1 (2018), 151–167; Theoret. and Math. Phys., 194:1 (2018), 127–141
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tmf9393https://doi.org/10.4213/tmf9393 https://www.mathnet.ru/rus/tmf/v194/i1/p151
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 418 | PDF полного текста: | 86 | Список литературы: | 39 | Первая страница: | 16 |
|