Теоретическая и математическая физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Лицензионный договор
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


ТМФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Теоретическая и математическая физика, 2013, том 176, номер 3, страницы 444–457
DOI: https://doi.org/10.4213/tmf8453 (Mi tmf8453) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Рассеяние электрона на кристаллическом слое

Т. С. Тинюковаa, Ю. П. Чубуринb

a Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
b Физико-технический институт УрО~РАН, Ижевск, Россия
PDF полного текста (449 kB) Список цитирования (2)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.4213/tmf8453
Аннотация: Рассмотрен одночастичный дискретный оператор Шредингера $H$ с периодическим потенциалом, возмущенным функцией $\varepsilon W$, периодической по двум переменным и экспоненциально убывающей по третьей; здесь $\varepsilon$ – малый параметр. Исследуется задача рассеяния для оператора $H$ вблизи точки экстремума по третьей координате квазиимпульса для некоторого собственного значения оператора Шредингера с периодическим потенциалом в ячейке, другими словами, для малой перпендикулярной составляющей угла падения частицы на потенциальный барьер $\varepsilon W$. Получены простые формулы для вероятностей прохождения и отражения.
Ключевые слова: дискретный оператор Шредингера, возмущенный периодический оператор, вероятности прохождения и отражения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Уральское отделение Российской академии наук 12-У-2-1021
Работа частично поддержана УрО РАН (грант 12-У-2-1021).
Поступило в редакцию: 07.12.2012
После доработки: 21.01.2013
Англоязычная версия:
Theoretical and Mathematical Physics, 2013, Volume 176, Issue 3, Pages 1207–1219
DOI: https://doi.org/10.1007/s11232-013-0101-6
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. С. Тинюкова, Ю. П. Чубурин, “Рассеяние электрона на кристаллическом слое”, ТМФ, 176:3 (2013), 444–457; Theoret. and Math. Phys., 176:3 (2013), 1207–1219
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TinChu13}
\by Т.~С.~Тинюкова, Ю.~П.~Чубурин
\paper Рассеяние электрона на~кристаллическом слое
\jour ТМФ
\yr 2013
\vol 176
\issue 3
\pages 444--457
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tmf8453}
\crossref{https://doi.org/10.4213/tmf8453}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=3230744}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:1286.81163}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2013TMP...176.1207T}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=20732661}
\transl
\jour Theoret. and Math. Phys.
\yr 2013
\vol 176
\issue 3
\pages 1207--1219
\crossref{https://doi.org/10.1007/s11232-013-0101-6}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000325707900009}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=21881012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-84885572721}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tmf8453
  • https://doi.org/10.4213/tmf8453
  • https://www.mathnet.ru/rus/tmf/v176/i3/p444
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Теоретическая и математическая физика Theoretical and Mathematical Physics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:469
    PDF полного текста:181
    Список литературы:72
    Первая страница:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024