|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Рассеяние электрона на кристаллическом слое
Т. С. Тинюковаa, Ю. П. Чубуринb a Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
b Физико-технический институт УрО~РАН, Ижевск, Россия
Аннотация:
Рассмотрен одночастичный дискретный оператор Шредингера $H$ с периодическим потенциалом, возмущенным функцией $\varepsilon W$, периодической по двум переменным и экспоненциально убывающей по третьей; здесь $\varepsilon$ – малый параметр. Исследуется задача рассеяния для оператора $H$ вблизи точки экстремума по третьей координате квазиимпульса для некоторого собственного значения оператора Шредингера с периодическим потенциалом в ячейке, другими словами, для малой перпендикулярной составляющей угла падения частицы на потенциальный барьер $\varepsilon W$. Получены простые формулы для вероятностей прохождения и отражения.
Ключевые слова:
дискретный оператор Шредингера, возмущенный периодический оператор, вероятности прохождения и отражения.
Поступило в редакцию: 07.12.2012 После доработки: 21.01.2013
Образец цитирования:
Т. С. Тинюкова, Ю. П. Чубурин, “Рассеяние электрона на кристаллическом слое”, ТМФ, 176:3 (2013), 444–457; Theoret. and Math. Phys., 176:3 (2013), 1207–1219
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tmf8453https://doi.org/10.4213/tmf8453 https://www.mathnet.ru/rus/tmf/v176/i3/p444
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 469 | PDF полного текста: | 181 | Список литературы: | 72 | Первая страница: | 22 |
|