|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Границы применимости двухуровневых моделей резонансного взаимодействия электронов с переменным электрическим полем в двухбарьерных структурах
Е. И. Голант, А. Б. Пашковский Государственное научно-производственное предприятие "Исток"
Аннотация:
Проведен анализ применимости различных вариантов двухуровневого приближения к расчету электронных переходов в двухбарьерной структуре с токовой накачкой в резонансном электрическом поле конечной амплитуды. Показано, что решение, получающееся на основе простой итерации метода возмущений первого порядка по амплитуде поля, может быть существенно продолжено за область сходимости метода итераций. С другой стороны, показано, что само двухуровневое приближение становится неприменимым при значительно меньших амплитудах поля, чем обычно предполагается. Это
ограничение обусловлено влиянием боковых сателлитов – нерезонансных компонент волновой функции.
Поступило в редакцию: 27.11.1998
Образец цитирования:
Е. И. Голант, А. Б. Пашковский, “Границы применимости двухуровневых моделей резонансного взаимодействия электронов с переменным электрическим полем в двухбарьерных структурах”, ТМФ, 120:2 (1999), 332–341; Theoret. and Math. Phys., 120:2 (1999), 1094–1101
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/tmf780https://doi.org/10.4213/tmf780 https://www.mathnet.ru/rus/tmf/v120/i2/p332
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 410 | PDF полного текста: | 205 | Список литературы: | 55 | Первая страница: | 1 |
|