Теоретическая и математическая физика
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Лицензионный договор
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ТМФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Теоретическая и математическая физика, 2007, том 153, номер 2, страницы 220–261
DOI: https://doi.org/10.4213/tmf6136
(Mi tmf6136)
 

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

Модель Изинга в полупространстве. Серия фазовых переходов при малых магнитных полях

А. Г. Басуев

Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна
Список литературы:
Аннотация: Для модели Изинга в полупространстве при низких температурах и “неустойчивом граничном условии” доказано, что при каждом значении внешнего магнитного поля $\mu$ существует такой слой спинов, примыкающих к подложке, толщиной $q(\mu)$, что внутри этого слоя среднее значение спина близко к $-1$, вне этого слоя близко к $+1$. При уменьшении $\mu$ в точках $\mu_q$ толщина слоя $(-1)$-спинов меняется скачком на единицу, причем $q(\mu)\to\infty$ при $\mu\to+0$. В точках $\mu_q$ разрыва $q(\mu)$ сосуществуют две поверхностные фазы. Поверхностная свободная энергия кусочно-аналитична в области $\operatorname{Re}q\mu>0$ и при низких температурах. Рассмотрена модель Изинга в полупространстве с произвольным внешним полем в нулевом слое и исследована соответствующая фазовая диаграмма. Доказано правило Антонова. Построено уравнение состояния в низших порядках с точностью до $x^7$, $x=e^{-2\varepsilon}$, в частности, с этой точностью найдены точки сосуществования фаз $0,1,2$ и фаз $0,2,3$, где номер фазы соответствует высоте слоя неустойчивых спинов над подложкой.
Ключевые слова: многофазная контурная модель, гамильтониан границы, кластерное разложение гамильтониана границы, поверхностное натяжение, фазовая диаграмма поверхностных фаз, фазовый переход полного и пластичного смачивания.
Поступило в редакцию: 29.09.2006
После доработки: 20.03.2007
Англоязычная версия:
Theoretical and Mathematical Physics, 2007, Volume 153, Issue 2, Pages 1539–1574
DOI: https://doi.org/10.1007/s11232-007-0132-y
Реферативные базы данных:
Образец цитирования: А. Г. Басуев, “Модель Изинга в полупространстве. Серия фазовых переходов при малых магнитных полях”, ТМФ, 153:2 (2007), 220–261; Theoret. and Math. Phys., 153:2 (2007), 1539–1574
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bas07}
\by А.~Г.~Басуев
\paper Модель Изинга в полупространстве. Серия фазовых переходов при малых магнитных полях
\jour ТМФ
\yr 2007
\vol 153
\issue 2
\pages 220--261
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/tmf6136}
\crossref{https://doi.org/10.4213/tmf6136}
\mathscinet{http://mathscinet.ams.org/mathscinet-getitem?mr=2388585}
\zmath{https://zbmath.org/?q=an:1139.82309}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2007TMP...153.1539B}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=10438456}
\transl
\jour Theoret. and Math. Phys.
\yr 2007
\vol 153
\issue 2
\pages 1539--1574
\crossref{https://doi.org/10.1007/s11232-007-0132-y}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000251154200004}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-36549042560}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/tmf6136
  • https://doi.org/10.4213/tmf6136
  • https://www.mathnet.ru/rus/tmf/v153/i2/p220
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Теоретическая и математическая физика Theoretical and Mathematical Physics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:679
    PDF полного текста:252
    Список литературы:72
    Первая страница:3
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024