Выход за рамки одноузельного приближения с учетом ближнего и дальнего порядков в сплавах

Предлагается метод нахождения поправок к приближению когерентного потенциала, основанный на точном суммировании всех вкладов в функцию Грина сплава, обусловленных процессами рассеяния на различных парах узлов. Выражения получены с учетом ближнего и дальнего порядков в сплавах. Сделаны оценки поправок к полученным выражениям для конфигурационно усредненной $T$-матрицы рассеяния и плотности электронных состояний за счет рассеяния на группах из трех и более узлов. Показано, что полученные выражения во многих важных случаях применимы для сплавов с произвольной концентрацией примеси. Сделан расчет плотности электронных состояний для бинарных сплавов с ОЦК-решеткой при различных значениях параметров дальнего и ближнего порядков.