Резонансные состояния в высокотемпературных сверхпроводниках с примесями

Предложена микроскопическая теория резонансных состояний для плоскости $\mathrm{CuO}_2$ с примесями $\mathrm{Zn}$ в сверхпроводящей фазе в рамках эффективной $t$–$J$ модели. В предложенной модели, полученной из $p$–$d$ модели, примеси $\mathrm{Zn}$ рассматриваются как вакансии $d$-состояний на узлах $\mathrm{Cu}$. В сверхпроводящей фазе, дополнительно к локальному статическому возмущению за счет вакансии, появляется динамический вклад, в результате чего матрица возмущений становится частотно-зависимой. На основе метода $T$-матриц для функций Грина от операторов Хаббарда вычислена локальная плотность электронных состояний, имеющих $d$-, $p$- и $s$-симметрию.