Низкотемпературные электронные состояния при пайерлсовской неустойчивости типа порядок–беспорядок

Исследована одномерная система с электронной пайерлсовской неустойчивостью типа порядок–беспорядок в приближении сильной связи в случае зоны с половинным заполнением. В приближении самосогласованного поля получена оценка для соответствующей критической температуры. Получено точное решение для электронных состояний при наличии доменной стенки в области низких температур, откуда рассчитана энергия доменной стенки и предсказано появление дополнительных состояний в центре пайерлсовской щели и с внешних по энергии сторон от регулярного электронного спектра. Обсуждается также характер электронной перестройки с возникновением дополнительных состояний при рождении пары доменных стенок.